9月26日，華燦光電在深圳前海萬豪酒店舉行新Mini LED新品發(fā)布會暨微顯示戰(zhàn)略合作簽約儀式，發(fā)布了新一代Mini LED芯片產品，并且介紹了華燦光電在微顯示領域的技術進展以及未來的技術布局。

　　發(fā)布會現場

　　華燦光電董事長俞信華

　　根據LEDinside*新數據，當下，隨著小間距顯示市場的飛速發(fā)展以及對顯示技術要求越來越高，Mini LED和Micro LED技術在顯示領域的優(yōu)勢引起業(yè)內持續(xù)關注。Mini LED顯示將應用于電視、手機、車載顯示、數字顯示(商業(yè)廣告與顯示等)，預估2025年市場規(guī)模為10.7億美金。2023年，預期采用Mini LED背光的TV背板市值將達到82億美金，其中20%的成本比例在Mini LED芯片。

　　作為國內行業(yè)規(guī)模第二的LED芯片企業(yè)，華燦光電一直以來關注并鉆研LED外延片及芯片技術的發(fā)展趨勢，對Mini LED和Micro LED技術很早就進行了布局，并取得了實質性進展。

　　此次，華燦光電發(fā)布了背光用Mini LED芯片及Mini RGB LED芯片新品。

　　RGB Mini LED芯片技術優(yōu)化方面，華燦設計了高可靠性、高亮度的DBR倒裝芯片結構。通過優(yōu)化PV和Mesa刻蝕工藝，使金屬連接層平滑覆蓋;優(yōu)化了電極結構和金屬沉積工藝，設計出高可靠性的電極;并且，通過特有的混編技術，可以消除COB應用情況下的Mura效應。此外，隨著芯片尺寸的持續(xù)減小，免錫膏封裝芯片方案將成為提高良率、降低成本的關鍵，對此華燦光電已實現了將錫球直接制作在Mini LED芯片電極上的技術應用。在紅光Mini LED芯片技術方面，華燦開發(fā)出高鍵合良率的轉移和鍵合工藝;并設計了頂傷防護層，優(yōu)化材料沉積工藝，增強膜質，**無外延頂傷風險。在背光Mini LED芯片技術方面，華燦優(yōu)化了膜層結構設計，調節(jié)芯片出光，更易實現超薄設計。

　　外延材料、芯片工藝、巨量轉移的良率將極大影響Micro LED的制造成本和修復成本，從而決定Micro LED在不同終端上的應用。在Micro LED外延技術方面，波長均勻性提升、particle控制以及更大尺寸外延片生產等方面取得了較大的進展，目前所獲得的大尺寸外延片具有業(yè)界*的波長均勻性和較低的表面缺陷密度，為實現更有成本競爭力的Micro LED顯示技術打下了良好的基礎。在Micro LED芯片技術方面，華燦在Sub微米級的工藝線寬控制、芯片側面漏電保護、襯底剝離技術(批量芯片轉移)、陣列鍵合技術(陣列轉移鍵合)、Micro LED的光形與取光調控方面取得了較好的結果。目前所獲得的的芯片良率可以達到5個9的水平，紅光Micro LED效率也到達了國際*水平，并針對不同轉移方式，可以提供多種形式的Micro LED樣品。

　　據介紹，華燦光電Mini RGB芯片早已批量出貨，并以高穩(wěn)定性能獲得客戶好評，當前階段5*10為量產主力，Q4量產4*8，3*6將在2020 Q1量產;Mini BLU產品也與終端客戶進行戰(zhàn)略合作，研發(fā)進度亦在穩(wěn)步向前推進。在Micro LED技術方面，華燦光電在該領域的布局中也走在前面，和國內外重點客戶的聯合開發(fā)在穩(wěn)步推進中。

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